科技改變生活 · 科技引領(lǐng)未來
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隨著人工智能（AI）相關(guān)軟硬件激增，為了能夠更好地應(yīng)對超大規(guī)模的市場，以及收獲用戶們的青睞，三星也正在向市場推出基于特定應(yīng)用要求的存儲組合產(chǎn)品，包括DDR5、HBM類產(chǎn)品、CXL內(nèi)存模塊等，為各種人工智能技術(shù)提供動力。
近日，三星官方介紹了旗下存儲產(chǎn)品的開發(fā)和技術(shù)應(yīng)用情況。其中談到了正在開發(fā)一種新型存儲器，稱為“Low Latency Wide I/O（LLW）DRAM”，將高帶寬、低延遲、低功耗的特性結(jié)合在一起。三星將新的內(nèi)存技術(shù)定位在需要運行大型語言模型（LLM）的設(shè)備上，未來也可能會出現(xiàn)在各種客戶端工作負(fù)載中。
據(jù)介紹，LLW DRAM作為一種低功耗內(nèi)存，擁有寬I/O、低延遲、每個模塊/堆棧提供了128GB/s的帶寬，與一個128位DDR5-8000內(nèi)存子系統(tǒng)的帶寬相同。LLW DRAM另一個重要特性是1.2pJ/bit的超低功耗，不過三星沒有告知該功耗下的具體數(shù)據(jù)傳輸速率。
事實上，三星并沒有透露LLW DRAM太多的細(xì)節(jié)信息，盡管已經(jīng)對寬接口內(nèi)存技術(shù)（比如GDDR6W）探索了一段時間了。據(jù)了解，LLW DRAM在設(shè)計上可能會借鑒GDDR6W，并采用扇出晶圓級封裝（FOWLP）技術(shù)將多個DRAM集成到一個封裝中。
據(jù)悉，由于三星已公布技術(shù)的預(yù)期性能細(xì)節(jié)，根據(jù)過往的經(jīng)驗，LLW DRAM很可能到了開發(fā)階段的尾聲。
劉陽